博士，教授，国家特聘专家，北方工业大学高精尖研究院院长。

李俊杰，博士，中科院微电子所先导工艺研发中心，高级工程师。有14年等离子刻蚀研发经验。曾就职于北方华创，有丰富的12英寸等离子刻蚀工艺研发经验。

博士，研究员，北京超弦存储器研究院材料与装备首席专家。长期从事集成电路先进薄膜材料生长和工艺研发、包括5nm技术代以下先进CMOS器件外延技术研发和DRAM新材料工艺研究。

博士，副研究员，先后工作于中科院微电子研究所与北京超弦存储器研究院，主要从事集成电路先导工艺中的单原子层沉积（ALD）相关工艺研究。

中国科学院微电子研究所高级工程师，中国科学院关键技术人才，主要从事硅基光子和先进CMOS制程研究。发表论文40余篇，申请专利80余项。

博士，正高级工程师，博导。长期从事集成电路先导工艺研发和8/12英寸Fab生产运营管理工作。曾就职于中芯国际、武汉新芯和长江存储。

中科院微电子所副研究员，中科院青促会会员。参与国家 02 专项 22 纳米工艺整合集成技术，国家存储器基地三维存储器芯片集成工艺研究及其产业化等项目。

博士，Eurofins EAG Advanced Imaging & FA 部门负责人, 10年以上透射电子显微学表征技术研究经历，探索AC-STEM、EELS、NBD等TEM相关技术在半导体领域的深